LN2 Test the 8700K with APEX IX Z270

---LN2를 위한 전압설정값---
CPU Ratio / Uncore  : 60 / 58
MEM Clock / Timming : 2044 / 12-13-13-28 220
CPU Voltage : 1.7
DRAM : 1.92
VCCIO : 1.35
SA : 1.35
PLL Termination Voltage : 1.75V ( 윈도우 진입하여 1.8V로조정)
CPU Standby voltage : 1.45V

DMI : 1.85V (CB Helpful)
Core PLL : 2.2V (CB Helpful)
Eventual DRAM Voltage : 1.92V
Internal PLL : 1.1V 


---LN2 시 중요설정 내용---

1.Internal PLL 1v 미만 설정시 -60도 이상에서 공수랭에서 사용하는 클럭에서도 윈도우 진입불가 시험상 1.1V에서 시네벤치 6.8g가능함을 확인함

2.PLL Termination Voltage 1.55v 인가시 -155도 이상 더 낮아지면 CB발생
  1.75V 이상 인가시 No CB

3. 써멀 크랙
 GC Ex사용시 6G도 어려움 ....?
 곰써멀 사용시 시네 6.8g가능함 한시간반 이상 사용시 크랙발생하였음....
 써멀 크랙확인을 위해 6g~6.2G에서 시네벤치가 도는지 확인필요
 힛건사용금지...? 사용시 써멀크랙되는것 같음
 KPC 써멀 사용예정 ....

4.RSCV 미사용함
 블루스크린 발생후 리셋발생후 CBB발생할경우...
 이때 시모그 클리어해후 -140도에 부팅시도함  문제없으면 LN2 설정후 -135도 이상에서
 바이오스 Save & Reset 함
 -135도 미만에서 시도시 디버그 코드 25발생후 프리즈됨..... 리셋버튼 누르면 정상부팅됨


-190도에서 에러 발생시 -160도 부근까지 올린후 부팅시도...
 부팅될경우 디버그 코드 25발생후 프리즈됨..... 리셋버튼 누르면 정상부팅됨

MEM 서브 타이밍

출처

https://blog.naver.com/qawsedk/221318093292

tWCL=tWL=tCWL 




tWCL=tWL=tCWL : 열린 메모리 뱅크(행, 열과 함께 메모리의 주소를 정의하는 단위)에 쓰는 데 걸리는 시간입니다. (메모리컨트롤러가 접근하고자 하는 셀이 운 좋게도 이미 열려있는 행 안에 있다면 앞서 행을 열기까지 수행한 tRP, tRCD를 생략할 수 있습니다.)


안정화에 있어서 필요한 타이밍이며. 낮은 값에 더 성능이 좋지만 일정 한계 값까지 내려 갈 경우 오히려 성능이 악화 되거나 안정화에 있어서 실패 합니다. CL값과 똑같거나 -1 값을 주는게 표준 입니다.  예를들어 CL 값이 17이면  tWCL값은 16 혹은 17이 적당 하다고 볼 수 있습니다.












tFAW , tRRD






tFAW을 알아보기 위해선 램의 구조를 먼저 알아야 하니 밑 그림을 참고하면 좋습니다. (간략하게 그렸습니다.)








tFAW 는 정확히  4 개의 Active(ACT)=활성화 명령이 발행 된 후 새 메모리 뱅크가 활성화되기 전에 경과해야하는 시간입니다. 
이게 무슨말이냐 하냐면,




메모리에 명령을 내릴땐 읽기,쓰기 동작을 하기 위해서는 BANK(행, 열과 함께 메모리의 주소를 정의하는 단위)를 활성화 해야 합니다. 여기서 세부램타중 하나인 tRRD와 밀접한 관련이 있습니다. 






(그림출처 :https://www.systemverilog.io/understanding-ddr4-timing-parameters)

ddr4 timing parameters | sv.io

ACTIVATE Timing The ACTIVATE command is used to open a row within a bank. In Understanding the Basics we saw that ev...

www.systemverilog.io

윗 그림 처럼 하나의 Bank를 Active(ACT)시켜주고 또 다른 Bank를 Active(ACT) 할 때는 tRRD만큼 간격을 꼭 주어야 합니다. 이처럼 tRRD는 한 Bank를 Active 시켜주고 또 다른 Bank를 Active할 때 그 행과 행의 간격 값이 tRRD 입니다. (두행 사이의 클록 수)


이때 Active 동작은 8BANK 메모리라 하더라도 tRRD간격으로 8BANK를 모두 연속으로 Active 할 수 없고, tFAW간격을 두고 최대 4개의 Bank만 Active할 수 있습니다. 그렇기에 tFAW은 쉽게말하면 4개의 뱅크가 얼마나 오랫동안 활성 상태를 유지할 수 있는지를 보여주는 시간 입니다.




성능값은 낮을 수록 좋지만 여기서 하나의 공식이 있습니다. 윗 사진을 봤듯이 절대로 tRRD값보다 tFAW값은 적어지면 안되며. 그렇기에 최소한 tRRD값의 x 4 (4개 뱅크 분할) 를 해줘야 하며 혹은 안정성을 원한다면 tRRD값의 x8을 해줘도 괜찮습니다. (램슬롯이 2개라 x2설정 하시는 분들도 계실텐데 아닙니다 그 물리적 bank와는 개념이 틀립니다.)


예를들어 tRRD값이 9일 경우 tFAW값은 36혹은 72가 나올 수 있다는 얘기 입니다. (값은 낮을 수록 성능이 좋습니다.)




-추가로 asus보드의 tRRD 부분의 tRRD_S(DRAM RAS# to RAS# Delay S) , tRRD_L(DRAM RAS# to RAS# Delay L) 차이는  S는 다른 Bank그룹  L은 동일한 Bank그룹 입니다.   tRRD_S 값의 x4 해주시거나 x8 해주시면 됩니다.






램 오버는 값을 때려 넣는것 보다 그 값이 무엇을 의미 하는지를 잘 알아야 3박자가 고루 잘 갖춰 집니다.




간혹 램타를 보다가 의미없는 값을 줄이는 분들이 보이는데 ..  램타이밍을 A B C 로 나눠본다면
A가 치우 치거나 B,C가 치우 치거나 하면 안됍니다. ABC 서로의 합이 중요합니다.
A로 치우 쳤지만 안정화가 성공 한다면 실사하실 시에 시스템 불안 증세가 있을 겁니다. 부팅이 가끔 안된다던지. 밀린 다던지 등등이요.





특히 한쪽에 치우쳐진 상태에서  TRFC , TREFI 부분을 만질때 TREFI 값을 무작정 올리고 TRFC 타이트하게 꽉 조이다보면 어느새 보드와
cpu가 죽어있는 경험을 하실 수 있으니 조심하시길 바랍니다. 

스크랩시 꼭 출처 부탁드립니다.

MEM 주요 타이밍

출처

https://blog.naver.com/qawsedk/221312043125
 

메모리 타이밍의 이해.




메모리 주파수는 Hertz 단위 또는 초당 사이클 단위로 측정 되지만 메모리 타이밍 단위는 일반주기 입니다. 클럭 사이클(1주기를 완성시키는것을 의미)을 시간측정으로 변환하려면 메모리의 주파수를 알아야 하는데 이것은 MHz 단위 또는 1,000,000Hz단위로 표시 됩니다. 예로들면 3200MHz 메모리의 클록 주파수는 초당 3,200,000,000 사이클 이므로 1 사이클를 완료하는 데 걸리는 시간은 (1/3,200,000,000) 초가 되어야 합니다.



 (자료 위키백과)


옛날에 쓰이던 사이클의 상승(rising edge: 디지털 신호에서 low에서 high로 바뀌는 순간)  또는 하강(falling edge:디지털 신호에서 high에서 low로 바뀌는 순간) 에서 한 번만 명령어 또는 데이터를 주고받는 것에서 나온 SDR과 달리(윗 사진참조), 현재 쓰이고 있는 DDR(double data rate)는 상승 및 하강 양쪽 모두에서 (DDR)로 데이터를 전송됨을 의미하므로 판매 제품의 램의 제원 클럭의 실제 클럭 주파수는 2배 입니다. 예를 들면 판매되는 제품의 클럭이3200MHz 램의경우 BIOS에서 메모리를 3200MHz로 설정하면 CPU-z는 1600MHz로 표시합니다. 따라서 시간은 실제로 (1 / (3,200,000,000 / 2)) 초입니다. 예로 메모리의 CL 타이밍이 16 클럭 사이클이면 이 값은 (16 * (1 / (3,200,000,000 / 2)) 초 또는 0.00000001초 또는 10 나노초로 변환됩니다. 방정식은 (1 / (판매품의 클럭/ 2)) *주기 단위의 타이밍 = 초 단위의 타이밍입니다.






주요 타이밍 : tCL / tCAS, tRCD, tRP, & tRAS 설명






메모리는 CPU가 명령한 것을 기록하는 장치입니다. 이러한 관계에서 CPU의 명령을 받아 메모리를 컨트롤하는 장치를 통합 메모리 컨트롤러(Integrated Memory Controller, IMC) 라고 합니다.
메모리는 메모리 컨트롤러로부터 명령을 받아 읽기/쓰기를 수행하며.  메모리컨트롤러가 사용자 명령을 읽거나 쓰기 위해 셀(메모리 칩을 구성하는 셀은 행과 열로 구성되어 있습니다.)에 접근하려면, 행 주소를 찾아낸 후 그 행 안에서 열 주소를 찾아 최종적으로 목적지인 셀에 도착하게 됩니다.  이 모든과정을 설명 할 Wikipedia에서 복사 한 DDR4 명령 표이며 그 밑 그림은 이해하기 쉽도록 명령표를 직접 그린 그림입니다.








타이밍은 일반적으로 1 차, 2 차 및 3 차로 분류됩니다. 그중 제일 기본적인 주요 램타이밍은 tCL, tRCD, tRP, tRAS, Command Rate(CR) (예 : 16-16-16-32 2T)이며 이 주요 램타이밍은 일반적으로 BIOS에서 조절할 수 있습니다. (모든 제품 목록, 박스 또는 RAM 스틱에서 타이밍은 tCL-tRCD-tRP-tRAS 형식으로 나열되며 때로는 CR도 함께 나열됩니다.)




메모리가 메모리컨트롤러 부터 명령을 받는 순서 입니다 .
그림을 보시면서 설명을 보시면 좀더 쉽게 이해 하실 수 있을 겁니다.








Command Rate (CR/CMD/CPC/tCPD): 메모리 컨트롤러의 명령이 메모리에 접수되기까지의 소요시간을 의미합니다. 보통 1T, 2T로 많이 나뉘며 1T 가 더 빠릅니다. 하지만 2T는 높은 메모리 클럭(4000~4200클럭이상)에서의 안정성이 매우 유용 하기에 고클럭에서는 2T를 많이 선호하는 편입니다. 램타이밍 항목 중 성능에 영향을 가장 크게 미치지만 일반적으로 두 옵션 1T,2T 사이에는 매우 작은 성능 차이가 있습니다. 보통 안정성을 위해 2T로 설정 합니다.


Row Active Time (tRAS): 셀에서 찾는 동안 그 셀이 속한 행은 반드시 활성화 상태로 유지되어야 하는데, 이를 위해 (활성화 전) 미리 충전 된 행이 활성화 상태를 유지해야만 하는 최소한의 시간을 규정한 것입니다. 다시 말해 행 활성 명령과 사전 충전 명령을 실행하는 사이에 필요한 최소 클럭 사이클 수 입니다. 보통 tRAS = CL + tRCD +0~4정도 설정하며 지나치게 크면 성능이 떨어집니다.


Row Precharge Time (tRP):  몇 클럭동안 충전할 것인지 결정하는 값입니다. 콘덴서는 시간이 지나면 자연방전이 되는데 그렇기에 주기적으로 충전해줘야 콘덴서안의 내용을 유지할 수 있습니다. 충전시에는 메모리를 읽거나 쓸 수 없기 때문에 충전 주기와 시간을 정하는 건 성능상 중요합니다. 충전이 덜 되거나 과충전 되면 데이터를 잃거나, 회로에 손상을 줄 수 있습니다.


RAS to CAS Delay (tRCD): 명령을 하여 셀에 도착지점 까지 갈때  행주소를 찾고, 열 주소를 찾는데 여기서 행주소를 찾고 열 주소를 찾는데 소요되는 시간이다. 작을 수록 성능이 좋습니다.


CAS Latency (tCL/tCAS): 줄여서 CAS Latency, 더욱 줄여 "CL" 이라 부르는 값으로 한 행 내에서 첫 열부터 마지막 열까지를 읽기/쓰기 하는 데 소요되는 총 시간을 의미 합니다. 램 타이밍을 나타내는 가장 대표적인 값이며 CR과 함께 성능에 영향을 크게 미치는 항목 중 하나입니다. 작을 수록 성능이 좋습니다.


끝으로 이 주요램타를 표준 클럭에 각 타이밍 별로 입력한 레이턴시를 비교한 자료입니다.
인텔의 경우 50~80ns 정도로 더 높게 나오니 참고하시고 어떤 타이밍이 영향을 얼만큼 주는지에 대해서 가늠 하시면 됩니다. (맨 우측 레이턴시가 낮을 수록 빠른 겁니다.)















다음 시간엔 2차,3차 타이밍 더 나아가 세부램타이밍에 대해서 알아 보는 시간을 갖도록 하겠습니다.




(램 오버는 오버클러커, 하드웨어 애호가 및 많은 시간을 가진 사람들의 영역이지만, 노력이 적은 사용자에게는 유용하지 않습니다. 그런 사용자를 위해 xmp를 지원하는 상품도 있으니 참고 하시길 바랍니다.)

tREFI and tRFC

출처
https://blog.naver.com/qawsedk/221315219326


이번 주제는 메모리의 안정성의 중요한 역할과 최대의 효과를 얻을 수 있는

Refresh Time  (이하 tREFI) , Refresh Cycle Time (이하 tRFC) 입니다.

tREFi

 먼저 tREFi부터 설명하겠습니다.  셀에는 스스로 방전이 되는 특성이 있습니다 때문에 데이터를 잃지 않기 위해 각 셀의  데이터를 읽어서 그대로 다시 써주는 refresh 동작이 필요합니다. 더 쉽게 말하면. 누설 전류로 정보가 지워 지므로 이것을 방지하기 위해서 일정 시간 간격으로 메모리 내용을 다시 저장하는 것을 말합니다. 그렇기에 소요되는 클럭사이클 갯수를 단위로 쓰는 다른 램타와 다르게 이 값은 시간값을 단위로 합니다.  

 --(시간)--저장--(시간)--저장--(시간)--저장--이런식으로요. 그래야 데이터를 잃지 않겠지요? . 사무직 회사원이 서류작업 중간 중간 저장 해주는 걸 일정한 시간에 해준다고 생각하시면 됩니다. 하지만 메모리에 있는 수많은 셀을 한꺼번에 충전하는 건 없청난 무리를 주겠지요? 그렇기에 충전을 짧은 주기로 페이지를 돌아가면서 해주는걸로 생각하시면 됩니다.  

 여기서 상식적으로 생각해 보겠습니다. 일반 회사원이 서류작업을 하는데 저장을 자주한다고 가정 했을때. 서류 끝내는 속도는 당연히 느려 지지만 저장을 자주 해줬으니 날라갈 걱정은 없어서 안정성은 올라갑니다.

반대로 저장 작업을 자주 안하고 자기 할일을 계속 했다고 하면 끝마치는 속도는 더 올라가겠지만 . 날라갈 위험이 있으니 안정성은 떨어질 수 밖에 없습니다.  그렇기에 저장하는 횟수가 적을 수록 성능이 올라갑니다. 한마디로 tREFi값이 올라 갈수록 저장하는 주기기 길어지니 성능은 좋아지고,반대로 저장주기를 짧게하면 성능은 낮아지지만 그만큼 안정성은 올라가지요.

tRFC

tRFC는 tREFI와 밀접한 관련이 있습니다.  tREFI 가 일정한 주기로 저장을 해준다고하면 tRFC는 그 저장속도를 말합니다. 여기서 이해하기 쉽게 그린 그림하나 보고 가시지요. 

 

그림이 많이 허술한 점 이해 부탁 드립니다. (쿨엔아이디:운이)  앞서 말했듯이 이렇게 셀을 페이지 별로 나눠서 일정한 간격으로 저장을 해줍니다. 저장을 할때 동안은 그 페이지의 램은 사용불가 입니다. 저장 속도가 길어 질수록 사용을 못하니 당연히 성능값은 떨어지겠지요.

 그림에 나와있듯이 tRFC는 저장 속도 입니다.  그렇기에 성능값은 낮을 수록 좋습니다(저장을 빠른 시간안에 한다는 얘기니깐요.) 다만 안정성은 떨어지겠지요.  저장속도 시간만 빨라 80%저장 하고 나머지 20%는 못했다면 안정화에 실패한거 겠지요.  이처럼 속도가 빠르면 성능값은 당연히 올라가지만 안정성은 낮아집니다.

저 그림에서 tREFi는 저장을 일정한 주기로 했을때 다음 저장까지 걸리는 그 일정한 주기(시간), 그  값 입니다.   앞서 말했듯이 저장 주기를 길게 했을땐 사용 가능한 시간이 많으니 성능값은 당연히 올라가겠지요. 그렇기에 값을 올리면 성능값은 올라갑니다. 반대로 값을 내리면 저장을 더 자주 해주니 성능값은 내려가겠지요.

여기서 tREFi에 대한 한가지 공식이 있습니다.  JEDEC 표준 저장 간격은 7.8usec 입니다. 그렇기에 RAM이 3200mhz 이라면  3200÷2를 해준 후 x 7.8 을해줍니다. 계산해보면 12,480 tREFi 값이 나오네요. 현재 램클럭의÷2  후에 x 7.8 을 해주시면 됩니다. 

기본적으로 메인보드의 전원부 부실 또는 저가형 보드일 경우엔 경우 앞서 보여준 공식을 지켜 주시는게 안정성 면에서 좋습니다. (※ 전원부,쿨링환경이 좋지 못한다면 정말 독이 될 수 있기에 공식의 값보다 오버되는 값을 입력하지 않는걸 권장합니다. 보드가 죽던지 멤컨이 버티질 못해서 cpu가 죽던지 하나거든요)

반대로  tREFI 의 최댓값인 65535로 높일 수 있고 문제가 되지는 않지만, 이경우엔 메인보드의 품질이 좋아야 하며 쿨링환경도 받쳐줘야 합니다 그렇지 않는다면 잠재적으로 손상 될 수 있습니다.  

최대한 입문자용으로 이해하기 쉽게 설명하느라 전문적인 용어를 많이 배제 했습니다.

마무리 결론을 말씀드리자면

1. tRFC는 저장의 속도와 관련이 있으므로 안정화를 본 최대한 줄인값에서 +10~30을 주는게 안정성에서 매우 효과적이다. 타이트하게 쪼여지면 간간히 시스템 불안증세를 보일 수 있다.

2. tREFi는 보드품질(저가형) 및 쿨링환경이 받쳐주지 않는다면 표준공식을 사용해서 값을 입력하는게 좋다. 

3. 메이저 램타이밍을 제외한 tRFC와 tREFi는 값에 따른 성능값이 아주 큰 영향을 주는 유일한 타이밍입니다.